英諾賽科,全球最大氮化鎵工廠蘇州建設完成

9月19日,英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產準備階段,標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成,同時也標志著中國半導體創新史步入一個新紀元。

該項目建成后將成為全球最大的集研發、設計、外延生產、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產業鏈研發生產平臺,滿產后將實現月產8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片,產品將為5G移動通信、數據中心、新能源汽車、無人駕駛、手機快充等戰略新興產業的自主創新發展提供核心電子元器件。

英諾賽科蘇州第三代半導體基地位于江蘇省蘇州市吳江區汾湖高新區,總占地24.5萬平方米,屬于江蘇省重點項目,一期投資總額超60億元人民幣。項目預計今年年底進入試生產階段。

英諾賽科相關負責人表示,氮化鎵功率芯片量產線的通線投產,填補了我國高端半導體器件的產業空白,同時也意味著制約我國第三代半導體產業的技術瓶頸得到突破。

關于英諾賽科:

英諾賽科于2015年底成立,是一家專業從事第三代半導體硅基氮化鎵芯片開發與制造的企業,成立至今先后引進了近百名國際一流知名半導體企業的頂尖人才,組建國際一流半導體研發團隊,開展自主研發工作,形成了自主可控核心技術,并已申請290余項國內外核心專利。

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